DRAM / NAND / HBM คืออะไร
ชิปหน่วยความจำที่เห็นในรายงานมี 3 ชนิดหลัก คือ DRAM, NAND และ HBM ใช้เก็บข้อมูลให้คอมพิวเตอร์ โทรศัพท์ และชิป AI
หน่วยความจำของแต่ละผู้ผลิตแทบไม่ต่างกัน ราคาจึงขึ้นกับปริมาณในตลาดเป็นหลัก ผู้ผลิตมีไม่กี่ราย แต่เมื่อทุกรายเพิ่มกำลังผลิตพร้อมกัน ราคาจะลดลงแรง
นักวิเคราะห์จึงติดตามราคาต่อบิต (หรือราคาต่อ GB) และปริมาณบิตที่ขายได้ เพราะต้นทุนการผลิตค่อนข้างคงที่ในระยะสั้น ราคาที่ขยับเพียงเล็กน้อยทำให้กำไรแกว่งแรงมาก ในรายงานหุ้นสหรัฐฯ HBM เป็นส่วนที่โตเร็วที่สุดจากความต้องการชิป AI
ประเภทหน่วยความจำ
- DRAM: หน่วยความจำชั่วคราวที่คอมพิวเตอร์ใช้ขณะทำงาน ปิดเครื่องแล้วข้อมูลหาย
- NAND: หน่วยความจำถาวรที่เก็บข้อมูลได้แม้ปิดเครื่อง เช่น ใน SSD และโทรศัพท์มือถือ
- HBM (High Bandwidth Memory): DRAM หลายชั้นซ้อนกันวางติดกับชิป AI เพื่อส่งข้อมูลได้เร็วมาก ผลิตยากและราคาสูงกว่า DRAM ทั่วไปหลายเท่า
สัญญาณของวัฏจักร
- ตัวเลขที่ติดตาม: ราคาต่อบิตเทียบไตรมาสก่อน การเติบโตของปริมาณบิต และจำนวนวันสินค้าคงเหลือ
- ราคาต่อบิตที่เริ่มกลับมาเพิ่มหลังลดลงหลายไตรมาส และสินค้าคงเหลือของผู้ผลิตที่ลดลง มักเป็นสัญญาณว่าวัฏจักรกำลังเข้าสู่ขาขึ้น
- เมื่อผู้ผลิตหลายรายประกาศเพิ่มงบลงทุนพร้อมกัน อาจเป็นสัญญาณว่าอีก 1-2 ปีจะเกิดสินค้าล้นตลาด
- HBM มักขายผ่านสัญญาล่วงหน้ากับผู้ผลิตชิป AI และมีราคาสูงกว่า สัดส่วนรายได้จาก HBM ที่เพิ่มขึ้นจึงช่วยลดความผันผวน
- ความต้องการ HBM ที่สูงไม่ได้แปลว่าราคา DRAM และ NAND ทั่วไปจะดีตาม แต่ละชนิดอาจอยู่คนละช่วงของวัฏจักร
การประเมินมูลค่าหุ้นหน่วยความจำ
- หุ้นหน่วยความจำมักดูแพงเมื่อ P/E สูงช่วงขาดทุนหรือกำไรต่ำ และดูถูกเมื่อ P/E ต่ำช่วงกำไรสูงสุด จึงนิยมใช้ P/BV หรือกำไรเฉลี่ยทั้งวัฏจักรประกอบ
- กำไรช่วงพีคมักอยู่ได้ไม่นาน การนำกำไรระดับนั้นคูณ P/E จึงให้มูลค่าที่สูงเกินจริง